隆基グループの最高の目標はお客様に高品質なシリコン商品と加工サービスを確実に提供することでございます。そして、お客様の期待を重ねてよりよい製品を提供することを約束いたします。
MCZ横磁場型の単結晶シリコンインゴット成長法とはCZ法で、単結晶シリコンインゴットを成長する時炉外から非常に強い横方向の磁場（千ガウス以上）をかけ、その影響で単結晶シリコンの中にある不純物の拡散を押さえ込み分布が均一化され高品位の単結晶を得る事ができます。同時に、溶液が強い磁場の中で流れが急速に下げ、熱の対流を有効に抑制され、シリコンと坩堝の間の化学反応が減らし、単結晶シリコンがより安定な環境で成長できます。そして酸素の含有量と他の不純物の含有量を下げる効果も見られます。
わが社の国際レベルに誇るシリコンとカーボンの分離技術が有効に炭端の多結晶からカーボンを取り除くことができます。この技術は2004年度に中国国家科学技術部から「中小企業創新賞」を受賞。
高純度シリコン材料は人類にとって大切なお宝である。隆基では、最新技術を使ってシリコンというものを最大限に利用していきます。このリサイクル活動は経済的だけではなく、地球環境保護のためにも考えております。