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单晶硅棒(P型)寿命值展示

寿命测试原理:

Sinton(bct400):采用红外激发 源,和瞬态的 850nm测量;注射水平5e14cm-3(N型)和1e15cm-3(P型),检测深度为3mm。

Semilab (e-pcd) :采用950nm 激光激发 源和注射深度为100μs。

针对P型电池工艺的目标电阻率压低改善



针对单晶硅片隐裂和崩边的改善

客户和合作者验证
入料WIS隐裂 & 崩边检测的对标交流
与客户协作开展客户端制程隐裂不良的专项改善客

针对单晶硅片隐裂和崩边的改善

LONGi切片机,分选机以及工序改进优化
插片机的改进
切片工艺改进
分选机隐裂 & 崩边(新切片项目)检测能力提升
粘胶工艺/辅材的改进
人员操做规范化及异常识别能力提升